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索尼再现黑科技:将DRAM集成到CMOS传感器
- 时间：2023-12-14 来源：大阳城官网平台 人气：
本文摘要：索尼这几年的手机之路回头得并不平缓，不过没随波逐流，慢慢显得默默无闻。作为白科技的代名词，索尼在半导体上的造诣可不是一般的强劲。 有可能很多人会实在索尼没有听闻在半导体上有哪些重大贡献，但是如果索尼的半导体工厂复工，因为全球的手机CMOS大部分来自索尼。索尼XZPrumium索尼镜头索尼展出技术在今年的MWC上，索尼除了带给全新的智能手机之外，他们还带给了全新的三层填充式CMOS传感器。
索尼这几年的手机之路回头得并不平缓，不过没随波逐流，慢慢显得默默无闻。作为白科技的代名词，索尼在半导体上的造诣可不是一般的强劲。
有可能很多人会实在索尼没有听闻在半导体上有哪些重大贡献，但是如果索尼的半导体工厂复工，因为全球的手机CMOS大部分来自索尼。索尼XZPrumium索尼镜头索尼展出技术在今年的MWC上，索尼除了带给全新的智能手机之外，他们还带给了全新的三层填充式CMOS传感器。据索尼官方讲解，三层填充式CMOS传感器是在像素层和信号处理电路之间重新加入一层DRAM内存，这一层高速缓存可以突破传统CMOS在图像处速度的瓶颈，将更加多的图像信息存放在内存当中，然后再行由图像处理器处置分解图片。
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